型号:  SBC856BDW1T3G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

晶体管极性:  PNP

配置:  Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 65 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V

最大直流电集电极电流:  - 200 mA

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BC856B

直流电流增益 hFE 最大值:  475 at - 2 mA, - 5 V

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  ON Semiconductor

集电极连续电流:  - 100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:  220 at - 2 mA, - 5 V

Pd-功率耗散:  380 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  10000

子类别:  Transistors

单位重量:  7.500 mg