型号:  SBCP68T1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

RoHS：  符合 RoHS

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-223

375：  直流电最大增益hFE

系列：  BCP68

品牌：  ON Semiconductor

连续集电极电流：  1 A

85：  直流集电极/增益 hfe 最小值

最大功率消耗：  1.5 W

标准包装数量：  1000

配置：  Single

晶体管极性：  NPN

集电极-基极电压VCBO：  25 VDC

集电极-发射极最大电压VCEO：  20 VDC

发射机-基极电压VEBO：  5 VDC

集电极-发射极饱和电压：  0.5 VDC

60 MHz：  增益带宽积 fT

最高工作温度：  + 150 C

晶体管类型：  NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：  20V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  500mV @ 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：  10µA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  85 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：  1.5W

频率 - 跃迁：  60MHz

工作温度：  -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：  SOT-223

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs