型号: SBSP52T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 80V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 1.3V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 2000 @ 500mA，10V
功率 - 最大值： 800mW
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SOT-223（TO-261）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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