型号: SCT10N120AG
功能描述: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
制造商: STMicroelectronics
包装: 管件
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 20V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 22nC @ 20V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 290pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: HiP247™
封装/外壳: TO-247-3
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：许强
电话：15989438418
Q Q:
联系人：赖先生
Q Q:
联系人：李保江
电话：13537883137
Q Q:
