型号:  SCT2120AFC

功能描述:  MOSFET MOSFET650V 29 -220A Silicon Carbide SiC

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220AB-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  29 A

Rds On-漏源导通电阻:  120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 22 V

Qg-栅极电荷:  61 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  165 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

系列:  SCT2x

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2.7 S

下降时间:  19 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  31 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  60 ns

典型接通延迟时间:  22 ns

零件号别名:  SCT2120AF

单位重量:  6 g