型号:  SCT2H12NZGC11

功能描述:  MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-3PFM-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1700 V

Id-连续漏极电流:  3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.15 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 22 V

Qg-栅极电荷:  14 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  35 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

产品:  Power MOSFETs

系列:  SCT2x

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel SiC Power MOSFET

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  0.4 s

下降时间:  74 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  21 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  SCT2H12NZ

单位重量:  11.405 g