型号: SCTH100N65G2-7AG
功能描述: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
制造商: STMicroelectronics
包装: 标准卷带
系列: 汽车级,AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 95A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 26 毫欧 @ 50A,18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 162nC @ 18V
Vgs(最大值): +22V,-10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3315pF @ 520V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-7
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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