型号:  SCTH90N65G2V-7

功能描述:  MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  H2PAK-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  90 A

Rds On-漏源导通电阻:  26 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.9 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V to 22 V

Qg-栅极电荷:  157 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  330 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  SCTH90N

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  16 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  38 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  58 ns

典型接通延迟时间:  26 ns