型号: SD2932
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 40 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
增益: 15 dB
输出功率: 300 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M244
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 250 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 500 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
联系人:陈欣
电话:13725554160
联系人:赵伟滨
电话:19926488141
Q Q:
联系人:赵军
电话:18682318008
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:杨经理
电话:13590255841
联系人:王俊葵
电话:15118847778
联系人:Frank