型号: SD3931-10
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 10 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
增益: 21.3 dB
输出功率: 175 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M174
封装: Bulk
配置: Single
高度: 7.11 mm
长度: 24.89 mm
工作频率: 150 MHz
系列: SD3931-10
类型: RF Power MOSFET
宽度: 12.83 mm
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
Pd-功率耗散: 389 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
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