型号: SD5000I
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 50 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 70 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V: - 25 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: CDIP-16
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Quad
下降时间: 0.6 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 0.6 ns
典型关闭延迟时间: 2 ns
典型接通延迟时间: 0.5 ns
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