型号: SD56060
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
输出功率: 60 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: M246
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 148 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 60
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
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