型号: SDP10S30
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
不同 Vr，F 时的电容: 600pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）: 300V
电流 - 平均整流（Io）: 10A（DC）
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）: 1.7V @ 10A
速度: 无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）: 0ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 200µA @ 300V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.7V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If: 10A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 200µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 300V
供应商器件封装: PG-TO220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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