型号: SE01P13K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 13A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 200mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 40W
类型: P沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨杨
电话：13360063621
Q Q:
联系人：付
电话：13701726215
Q Q:
联系人：洪先生
电话：13480938895
Q Q:
