型号: SE01P13K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 13A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 200mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 40W
类型: P沟道
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