型号: SE100150GA
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 150A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：李凤达
电话：13622312261
Q Q:
联系人：何少娟
电话：13760227272
Q Q:
联系人：盛先生
电话：13573212021
Q Q:
