型号: SE120120GA
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 120V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 129A
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 6.1mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 185W(Tc)
类型: N沟道
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