型号: SE150180GTS
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):164A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):520W 类型:N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 164A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 520W
类型: N沟道
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:朱丽娜
电话:15989349634
联系人:张小姐
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:朱小姐
电话:13652405995
联系人:张先生
电话:17817952214
联系人:胡S
电话:13798449569
Q Q:
联系人:张先生
电话:19967512226