型号: SE30P12D
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: P沟道
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