型号: SE4946
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2mW 类型：双N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.5A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 41mΩ @ 5.3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2mW
类型: 双N沟道
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