型号: SE6080A
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 80A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 7.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 110W
类型: N沟道
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:朱丽娜
电话:15989349634
联系人:王小康
电话:18188642307
联系人:苏先生,李小姐
电话:18938644687
联系人:韦
电话:18077741230
Q Q:
联系人:刘
Q Q:
联系人:林先生
电话:13590488158