型号: SG2003J-883B
功能描述:
制造商: Microsemi
晶体管类型： 7 NPN 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压-集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 1.6V @ 500µA，350mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 350mA，2V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： 16-CDIP
无铅情况/RoHs： 否
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