型号: SG2013J-883B
功能描述:
制造商: Microsemi
晶体管类型： 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 1.9V @ 600µA，500mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 900 @ 500mA，2V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： 16-CDIP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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