型号:  SG2823J/883B

功能描述:   Trans Darlington NPN 95V 0.5A 18-Pin CDIP

制造商:  microsemi

标准包装：  1

晶体管类型：  8 NPN Darlington

集电极电流（Ic）（最大）：  500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  1.6V @ 500µA, 350mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  1000 @ 350mA, 2V

功率 - 最大：  -

频率转换：  -

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  *

供应商器件封装：  18-DIP

包装材料 ：  Tube

动态目录：  NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/33372?mpart=SG2823J-883B&vendor=1259&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  18CDIP

配置：  Octal

类型：  NPN

最大集电极发射极电压：  95 V

峰值直流集电极电流：  0.5 A

最小直流电流增益：  1000@350mA@2V

最大集电极发射极饱和电压：  1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  500mA

晶体管类型：  8 NPN Darlington

安装类型：  Through Hole

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  1.6V @ 500µA, 350mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  95V

供应商设备封装：  18-DIP

封装：  Tube

封装/外壳：  *

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  1000 @ 350mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant