型号: SGB10N60
功能描述: Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技术中的快速 S-IGBT)
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-263-3
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 21 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
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Q Q:
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