型号: SGD02N60BUMA1
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252
制造商: Infineon Technologies AG
供应商封装形式： TO-252
最大栅极发射极电压： ±20
最大连续集电极电流： 6
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
包装宽度： 6.22
标准包装名称： DPAK
包装高度： 2.3
安装： Surface Mount
最大功率耗散： 30000
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 600
标签： Tab
PCB： 2
包装长度： 6.5
最低工作温度： -55
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
集电极电流（DC ）： 6 A
集电极 - 发射极电压： 600 V
包装类型： TO-252
工作温度分类： Military
配置： Single
Gate to Emitter Voltage (Max)： �20 V
弧度硬化： No
工作温度（最大）： 150C
工作温度（最小值）： -55C
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