型号: SGF23N60UFTU
功能描述: IGBT 晶体管 600V/12A
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PF-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 23 A
Pd-功率耗散: 75 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: SGF23N60UF
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 23 A
高度: 16.7 mm
长度: 15.7 mm
宽度: 5.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 23 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 360
子类别: IGBTs
零件号别名: SGF23N60UFTU_NL
单位重量: 7 g
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