型号: SGL60N90DG3M1TU
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
集电极—射极饱和电压: 1.4 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 500 nA
功率耗散: 180 W
封装 / 箱体: TO-264
封装: Tube
安装风格: Through Hole
工厂包装数量: 25
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