型号:  SGP02N120XKSA1

功能描述:  Infineon SGP02N120XKSA1 N沟道 IGBT, 2 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  6.2A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  9.6A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  3.6V @ 15V，2A

功率 - 最大值：  62W

开关能量：  220µJ

输入类型：  标准

栅极电荷：  11nC

25°C 时 Td（开/关）值：  23ns/260ns

测试条件：  800V，2A，91 欧姆，15V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO220-3

供应商器件封装：  PG-TO220-3

最大连续集电极电流：  2 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  62 W

封装类型：  TO-220

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  1MHz

晶体管配置：  单

长度：  8.5mm

宽度：  4.4mm

高度：  9.25mm

尺寸：  8.5 x 4.4 x 9.25mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs