SGP10N60RUFDTU规格参数_SGP10N60RUFDTU全国代理商/分销商

型号: SGP10N60RUFDTU
功能描述: IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 16 A
Pd-功率耗散: 75 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: SGP10N60RUFD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 16 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 16 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: SGP10N60RUFDTU_NL
单位重量: 1.800 g