型号: SH8J62TB1
功能描述: 二极管与整流器
制造商: ROHM Semiconductor
系列： SH
单位重量： 851 mg
最大工作温度： + 150 C
技术： Si
安装风格： SMD/SMT
Pd-功率耗散： 2 W
Id-连续漏极电流： - 4.5 A
Vds-漏源极击穿电压： - 30 V
RdsOn-漏源导通电阻： 60 mOhms
晶体管极性： P-Channel
正向跨导-最小值： 3.5 S
FET类型： 2 个 P 沟道（双）
FET功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.5A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 56 毫欧 @ 4.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 800pF @ 10V
功率-最大值： 2W
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOP
漏源极击穿电压VDSS： 4V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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