型号: SH8M13TB1
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：31mΩ @ 6A,10V;29mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道
制造商: ROHM(罗姆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6A,7A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 1mA
漏源导通电阻: 31mΩ @ 6A,10V;29mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: N沟道和P沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：马先生
电话：18682000156
Q Q:
联系人：施先生
电话：13823155485
Q Q:
联系人：林丽
Q Q:
