型号: SHN1B01FDW1T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 2µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值: 380mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SC-74
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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