型号: SHN1B01FDW1T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 2µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值： 380mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
供应商器件封装： SC-74
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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