型号: SI1002R-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 610mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 2nC @ 8V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 36pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 220mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 560 毫欧 @ 500mA, 4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SC-75A
封装/外壳： SC-75A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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