SI1011X-T1-GE3规格参数_SI1011X-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SI1011X-T1-GE3
功能描述: Si1011X Series P-Channel 12 V 0.64 Ohm 0.19 W Surface Mount Power Mosfet - SC-89
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.2V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 62pF @ 6V
Vgs（最大值）： ±5V
功率耗散（最大值）： 190mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 640 毫欧 @ 400mA，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： SC-89，SOT-490
封装形式Package： SC-89
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 12V
连续漏极电流ID： 0.48A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs