型号: SI1013X-T1-GE3
功能描述: Single P-Channel 20 V 1.2 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SC-89
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 350mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 450mV @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±6V
功率耗散（最大值）： 250mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-89，SOT-490
封装形式Package： SC-89-3
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 350mA
漏源极导通电阻RDS(ON)： 1.2Ohms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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