型号: SI1013X-T1-GE3
功能描述: Single P-Channel 20 V 1.2 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SC-89
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 350mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 450mV @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±6V
功率耗散(最大值): 250mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-89,SOT-490
封装形式Package: SC-89-3
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 350mA
漏源极导通电阻RDS(ON): 1.2Ohms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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