型号: SI1025X-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 190mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1.7nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 23pF @ 25V
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SC-89-6
其它名称: SI1025X-T1-GE3TRSI1025XT1GE3
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