型号:  SI1029X-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-89-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  500 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1.4 Ohms, 4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  750 pC, 1700 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  280 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.6 mm

长度:  1.66 mm

系列:  SI1

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  1.2 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  200 mS, 100 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 35 ns

典型接通延迟时间:  15 ns, 20 ns

零件号别名:  SI1029X-GE3

单位重量:  32 mg