型号: SI1557DH-T1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 12 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 1.3 A, 0.86 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.235 Ohms at 4.5 V, 0.535 Ohms at - 4.5 V
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
封装: Reel
下降时间: 10 nS, 10 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.8 S, 1.2 S
栅极电荷 Qg: 0.8 nC, 1.1 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 600 mW
上升时间: 25 nS, 30 nS
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 25 nS, 15 nS
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