型号: SI1865DL-T1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 8 V
漏极连续电流: 1.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.215 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 400 mW
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
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