型号: SI1900DL-T1-GE3
功能描述: MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-6
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 630 mA
Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 1.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.1 mm
系列: SI1
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.25 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 0.75 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
单位重量: 7.500 mg
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