型号: SI1912EDH-T1-E3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.13A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 450mV @ 100µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 570mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-70-6(SOT-363)
其它名称: SI1912EDH-T1-E3TRSI1912EDHT1E3
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