型号:  SI1926DL-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  370 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  1.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  510 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  2.1 mm

系列:  SI1

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.25 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  159 ms

下降时间:  14 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 ns

典型接通延迟时间:  6.5 ns

单位重量:  7.500 mg