型号: SI1967DH-T1-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
单位重量： 28 mg
高度： 1 mm
长度： 2.1 mm
宽度： 1.25 mm
技术： Si
零件号别名： SI1903DL-T1-GE3
商标名： TrenchFET
FET类型： 2 个 P 沟道（双）
FET功能： 逻辑电平门
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 490 毫欧 @ 910mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 110pF @ 10V
功率-最大值： 1.25W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-70-6（SOT-363）
封装形式Package： SC-70-6
极性Polarity： Dual P
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 1.3A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 490mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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