型号: SI2301A-TP
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道
制造商: MCC(美微科)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2.8A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 120mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: P沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：曹小姐
Q Q:
联系人：杜铁军
电话：13735548610
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13724201920
Q Q:
