型号: SI2301CDS-T1-G
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 3SOT-23
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 2.3 A
RDS -于： 112@4.5V mOhm
最大门源电压： ±8 V
典型导通延迟时间： 11 ns
典型上升时间： 35 ns
典型关闭延迟时间： 30 ns
典型下降时间： 10 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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