型号: SI2302ADS-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 300pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 700mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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