型号:  SI2302DS.215

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  85 mOhm @ 3.6A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  650mV @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  10nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  230pF @ 10V

功率 - 最大：  830mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  2.5 A

RDS -于：  85@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±8 V

典型导通延迟时间：  12 ns

典型上升时间：  23 ns

典型关闭延迟时间：  50 ns

典型下降时间：  34 ns

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±8

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  830

最大漏源电压：  20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  85@4.5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  2.5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  650mV @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  85 mOhm @ 3.6A, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  830mW

输入电容（Ciss ） @ VDS：  230pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  10nC @ 4.5V

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-5956-1

漏极电流（最大值）：  2.5 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �8 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  0.83 W

噪声系数：  Not Required dB

漏源导通电阻：  0.085 ohm

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  TO-236AB

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  20 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  2.5 A

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :3.6A

Drain Source Voltage Vds：  :20V

On Resistance Rds(on)：  :85mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :4.5V

Threshold Voltage Vgs：  :650mV

功耗：  :830mW