型号:  SI2306BDS-T1-GE3

功能描述:  Si2306BDS Series N-Channel 30 V 47 mOhm 0.75 W Surface Mount Mosfet - TO-236

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  3.16A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  4.5nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  305pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  750mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  47 毫欧 @ 3.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  3.16A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  47mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs