型号: SI2316DS-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.9A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 50 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 800mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 215pF @ 15V
功率 - 最大值: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
联系人:林先生
电话:15913992480
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:傅小姐
电话:13310061703
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:但敏
电话:18372711485
联系人:杨小姐
电话:15019204563
联系人:周然
电话:13724311148