型号: SI2328
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.15A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):730mW 类型:N沟道
制造商: BORN伯恩半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 1.15A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 250mΩ @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 730mW
类型: N沟道
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